La reciente presentación de la memoria flash más rápida del mundo por parte de investigadores de Fudan University en Shanghai podría, a pesar de su carácter de prototipo por el momento, marcar un hito significativo en el desarrollo tecnológico chino. Este dispositivo, denominado «PoX», es capaz de escribir datos en tan solo 400 picosegundos, lo que equivale a 25 mil millones de operaciones por segundo.
Este avance no es un hecho aislado, sino que forma parte de una estrategia sistemática del gobierno y la industria tecnológica china: avanzar en inteligencia artificial no solo mediante el aumento de la potencia de cómputo tradicional, un factor que tienen limitado debido a las restricciones estadounidenses, sino explorando vías alternativas como la integración de memoria y ...
