En la guerra tecnológica global, hay anuncios que suenan más a declaración de intenciones que a realidad tangible. Pero cuando un equipo de investigadores chinos afirma haber desarrollado un transistor que no solo prescinde del silicio, el hiperabundante material que durante más de medio siglo ha sido la base de la electrónica, sino que además supera en rendimiento a los chips más avanzados de Intel, TSMC o Samsung, parece razonable prestar algo de atención.
Un grupo de investigadores de la Universidad de Pekín han creado un transistor utilizando oxiselenuro de bismuto (Bi₂O₂Se) como material semiconductor y selenato de bismuto (Bi₂SeO₅) como dieléctrico de puerta. Este diseño emplea lo que se denomina una arquitectura de transistor de efecto de campo de ...
